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超LSIレジストの分子設計

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書籍情報
シリーズ名表面・薄膜分子設計シリーズ 全18巻 【11】巻
ISBN978-4-320-08511-4
判型B6 
ページ数128ページ
発行年月1990年04月
本体価格1,320円
超LSIレジストの分子設計 書影
超LSIレジストの分子設計

超LSIをつくるためのレジストの分子設計について,誰にでもわかりやすいよう,豊富な図と最近の実例を用いて平易に解説。

目次

序章 なぜ,レジストの研究をするのか?

第1章 超LSIレジストの要件

第2章 オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計

第3章 ネガ型レジストの分子設計

第4章 高感度化の分子設計

第5章 ドライ現象のためのレジストの分子設計

第6章 解像力向上技術