集積回路工学

書籍情報
シリーズ名series電気・電子・情報系 【3】巻
ISBN978-4-320-08578-7
判型A5 
ページ数200ページ
発行年月1999年03月
本体価格3,000円
集積回路工学 書影
集積回路工学

半導体物理学から回路設計までに至る広範な分野をまとめ,重要でしかも基礎的事項に絞り,概念的にわかりやすく解説した。

目次

1 MOS LSI概観
1.1 LSIの歴史
1.2 LSIの特徴

2 半導体物性の基礎
2.1 シリコン基板
2.2 pn接合

3 MOS構造
3.1 エネルギーバンド構造
3.2 しきい値電圧
3.3 CV特性
3.4 CVプロット解析

4 MOSトランジスタ
4.1 トランジスタの基本特性
4.2 トランジスタの詳細特性
4.3 しきい値電圧VT

5 MOSサイズ効果
5.1 不均一不純物分布トランジスタのしきい値電圧
5.2 ショートチャネル効果

6 MOSインバータ特性
6.1 MOSインバータの基礎
6.2 CMOSインバータ
6.3 CMOSインバータのスイッチング特性

7 MOS ICの構成要素
7.1 内部配線の抵抗と静電容量
7.2 内部配線のインダクタンス

8 MOS ICの製造技術
8.1 メタルゲートプロセス
8.2 シリコンゲートプロセス
8.3 高性能プロセス

9 MOS ロジック回路
9.1 ロジック回路の概要
9.2 CMOSゲート回路
9.3 CMOSロジックの構成方法

10 CMOS メモリ
10.1 メモリの種類
10.2 ランダムアクセスメモリ
10.3 リードオンメモリ

11 LSI の設計
11.1 LSIの設計方法
11.2 シミュレータ
11.3 合成ツール

12 歩留,信頼性
12.1 歩留 
12.2 信頼性