半導体デバイス

書籍情報
シリーズ名series電気・電子・情報系 【7】巻
ISBN978-4-320-08582-4
判型A5 
ページ数224ページ
発行年月2000年04月
本体価格3,500円
半導体デバイス 書影
半導体デバイス

半導体デバイスについて,基本的な事項をまとめたテキストおよび参考書。
前半では,半導体デバイスの基本となるpn接合と半導体-絶縁体接合の物理の基礎を習得することを目的とした。後半では,トランジスタなどの各種の半導体デバイスの構造および動作原理を述べた。
大学初級程度の物理・数学の知識と,電気・電子回路の初歩的な知識があれば理解できるように留意し,適宜,例題と演習問題を設け,実際の数値を用いて計算し,理解を深めるようにした。

目次

1 半導体の電子構造
1.1 結晶構造
1.2 エネルギー帯構造
1.3 真性半導体・外因性半導体
1.4 キャリア密度
1.5 フェルミ準位

2 半導体における電気伝導
2.1 キャリアの熱運動
2.2 ドリフト電流
2.3 ホール効果―キャリア密度と移動度の実測法
2.4 拡散電流
2.5 キャリアの生成・消滅
2.6 多数キャリアの振る舞い

3 pn接合ダイオード
3.1 pn接合の整流性
3.2 直流電流-電圧特性―理想特性
3.3 理想特性からのずれ
3.4 空乏層の解析
3.5 pn接合の破壊
3.6 交流特性
3.7 種々のpn接合ダイオード

4 半導体異種材料界面
4.1 金属-半導体界面
4.2 絶縁物-半導体界面

5 バイポーラトランジスタ
5.1 基本構造と動作特性
5.2 直流特性
5.3 電気的諸特性
5.4 高周波特性
5.5 ヘテロバイポーラトランジスタ

6 電界効果トランジスタ
6.1 MOS形電界効果トランジスタ
6.2 接合形電界効果トランジスタ
6.3 高電子移動度トランジスタ
6.4 静電誘導トランジスタ

7 集積回路
7.1 集積回路の分類
7.2 バイポーラ集積回路
7.3 MOS集積回路
7.4 メモリ回路
7.5 CCD
7.6 多様化する集積回路

8 パワーデバイス
8.1 パワーデバイスの種類と用途
8.2 サイリスタ
8.3 パワートランジスタ

9 受光デバイス
9.1 半導体の光学的性質
9.2 半導体の光電的性質
9.3 太陽電池
9.4 光検出器

10 発光デバイス
10.1 半導体の発光
10.2 発光ダイオード
10.3 レーザ
10.4 半導体レーザ